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IXFH36N55Q2
50
45
40
Fig. 7. Input Adm ittance
50
45
40
Fig. 8. Transconductance
35
30
25
20
35
30
25
20
T J = -40oC
25oC
125oC
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
15
10
5
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
100
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
40
9
8
7
6
5
4
V DS = 275V
I D = 18A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8 0.9
V S D - Volts
1
1.1
1.2
0
10
20
30 40 50 60 70 80
Q G - nanoCoulombs
90 100 110
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
1000
C iss
C oss
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
C rss
10
DC
10ms
100
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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